CGH25120F
توضیحات:
120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
دسته بندی:
مدار مجتمع TI
In-stock:
در انبار
روش پرداخت:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL، AIR، FCL، Express
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
برای طرح های جدید نیست
نوع نصب:
پایه شاسی
ولتاژ - نامی:
84 V
بسته بندی:
سینی
سری:
GaN
شکل سر و صدا:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
440162
ولتاژ - تست:
28 V
مفر:
Wolfspeed, Inc.
فرکانس:
2.3 گیگاهرتز ~ 2.7 گیگاهرتز
کسب کردن:
12.5 دسی بل
بسته بندی / کیس:
440162
فعلی - تست:
500 میلی آمپر
توان خروجی:
130 وات
تکنولوژی:
HEMT
رتبه فعلی (آمپر):
-
شماره محصول پایه:
CGH25120
مقدمه
RF Mosfet 28 V 500 mA 2.3GHz ~ 2.7GHz 12.5dB 130W 440162
ارسال RFQ
ذخایر:
In Stock
مقدار تولیدی: