A2T18H410-24SR6
توضیحات:
IC TRANS RF LDMOS
دسته بندی:
مدار مجتمع TI
In-stock:
در انبار
روش پرداخت:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL، AIR، FCL، Express
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
از کار افتاده
نوع نصب:
پایه شاسی
ولتاژ - نامی:
65 V
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
پیکربندی:
دوگانه
سری:
-
شکل سر و صدا:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
NI-1230-4LS2L
ولتاژ - تست:
28 V
مفر:
NXP USA Inc.
فرکانس:
1.81 گیگاهرتز
کسب کردن:
17.4 دسی بل
بسته بندی / کیس:
NI-1230-4LS2L
فعلی - تست:
800 میلی آمپر
توان خروجی:
71 وات
تکنولوژی:
LDMOS
رتبه فعلی (آمپر):
-
شماره محصول پایه:
A2T18
مقدمه
RF Mosfet 28 V 800 mA 1.81GHz 17.4dB 71W NI-1230-4LS2L
ارسال RFQ
ذخایر:
In Stock
مقدار تولیدی: